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第七十七章 有进展了(1 / 2)

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劳斯莱斯一路不停,开到凌氏集团的职工高档公寓小区,早已接到通知的颜晓芸的母亲、弟弟和妹妹早已等后多时,等汽车来了以后,就把行李放进汽车的后背箱中,上车,汽车没有停留多久又再次启动起来,离开了小区。

把家人安置到凌世哲为他们准备的小别墅区后,又带着他们去看了看颜晓芸住的房子。

看着占地广大的庄园别墅,颜妈妈和弟弟妹妹都被庄园的奢华震得不轻,颜妈妈还好点,毕竟以前当过富太太有些见识,但颜晓芸的弟弟妹妹们就不行了。

看到两个孩子的丑样,颜妈妈训诉了他们一顿,然后把他们打发掉,让他们去别的地方玩,又拉着女儿的手到人工湖亭子中坐下,颜妈妈对颜晓芸说道:“你真打算做他小老婆了?”

“嗯……”颜晓芸红着脸点了点头。

听到女儿的回答,颜妈妈眼泪一下涌了出来,哭道:“命,这都是命,我们颜家以前怎么说也是富豪之家,你有是颜家的千金大小姐,当初如果你爹不去炒什么股票,你也不会落得给人当小老婆,他倒好,一走了之,对我们撒手不管,妈对不住你啊……呜……呜……”

“妈……别说了……呜……不是妈的错,是我自己愿意的,他带我很好,除了没有名分,妈,别伤心了,呜……”

母女两抱头痛哭,可怜自己的命运,如果当初颜晓芸的父亲颜石清,不是被人怂恿,玩什么股票,也不会被人装了笼子,不但把自己的家产全都输了进去,还欠了一屁股的烂债,颜家也不至于落到今天的下场,所以说,股票这个玩意,有点闲钱玩一玩可以,但绝对不能把整个家产都投入进去,更不能借钱炒股。

何况香港这个时候的证券市场里面有太多的各种金融骗局,对股市什么都不懂的人,拿点闲钱出来,买上一两支自己看好的股票来长期持有炒懒股,就是最好的投资方式,想要去偷鸡,哼,坑死你。

颜晓芸的父亲就是中了这种歹毒的金融骗局,以为自己能赚钱,是股神巴菲特,其实自己什么都不懂,不但把自己所有的家产给投了进去,还对外借了很多的高利贷,结果不到一个月,股市大跌,颜家倾家荡产,颜石清也一病不起,没两年就咽了气,留下这对孤儿寡母在世间受苦。

当初也不想想炒股失败的后果,就这么一头钻了进去,如果只是一点零花钱,亏了也就亏了,也不至于落得这幅下场;令利智昏,害了自己更害了家人。

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凌世哲过得很逍遥,这些日子一直都在三个女人之间打转,今天在李莉那里留宿,明天又在颜晓芸家里,后天又在赵晓芸家里,日子过得不要太舒服。

新得一位美人,的确是令他心情愉快,但令他更愉快的是,加拿大传来的消息,刀片服务器的研发有了新得进展,尼恩他们经过好几个月的努力,终于在前天,成功做出世界上第一个固态硬盘。

硬盘由8块闪存芯片、一块主控芯片、一块缓存芯片组成;nandflash闪存芯片属于mlc闪存,一块闪存芯片的存储容量为2m。

在后世,nandflash闪存芯片一般分为slc(单层单元)mlc(多层单元)以及tld闪存。

mlc闪存在固态硬盘中使用的最广的闪存技术,mlc全称是多层式储存,其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本,从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过,mlc的缺点也很明显,其写入寿命较短,读写方面的能力也比slc低,官方给出的可擦写次数仅为1万次,但是一般为3000-10000次。

别看它擦写寿命少,但凌世哲通过均衡算法对存储单元的管理,就可以使寿命被大大的提高。

闪存完全擦写一次叫做1次p/e,因此闪存的寿命就以p/e作单位。例如,34nm的闪存芯片寿命约是5000次p/e,而25nm的寿命约是3000次p/e。

通过均衡算法对存储单元的管理,就可以减少不必要的写入量;比如后世一块120g的固态硬盘,要写入120g的文件才算做一次p/e。普通用户正常使用,即使每天写入50g,平均2天完成一次p/e,3000个p/e能用20年,到那时候,固态硬盘早就被替换成更先进的设备了。

所以在固态硬盘中,指控芯片是一个关键性的指标,它是固态硬盘的大脑,其作用,一是合理调配数据在各个闪存芯片上的负荷;二则是承担了整个数据中转,连接闪存芯片和外部sata接口。不同的主控之间能力相差非常大,在数据处理能力、算法上,对闪存芯片的读取写入控制上会有非常大的不同,直接会导致固态硬盘产品在性能上产生很大的差距。

总之,好的主控芯片不但能大大够提高数据的读写速度、减少数据读写的错误,更能够使固态硬盘的使用寿命和容量空间大大的增加,反之,固态硬盘读写慢不说,数据读写错误也多,使用寿命也短。

另外,缓存也能大大提高固态硬盘的性能,在后世的市面上有一些廉价固态硬盘方案为了节省成本,省去了这块缓存芯片,这对硬盘的性能会产生很大的影响。

在尼恩的发来的报告中,固态硬盘是要作为刀片服务器的硬盘来用的,对它的稳定性和可靠性要求极高,所以这块固态硬盘他使用了2块缓存芯片,来提高硬盘的性能和数据读写的准确度;另外尼恩打算再次的优化和提高数据的算法,好让主控芯片的性能变得更加优秀,一块主控芯片完全够用,不需要在另外增加。

单颗nandflash闪存芯片的容量有2m,使用的是9微米制程工艺技术,不过尼恩找到一种新方法,可以在同等的微米制程工艺技术上来提高闪存颗粒的密度,来大大提高闪存芯片的容量。

尼恩这份报告,到让凌世哲想起了后世三星和东芝的固态硬盘容量之争;当时东芝公司的固态硬盘用的nandflash闪存芯片使用的是90纳米工艺,而三星却用的是74纳米制程工艺来生产nandflash闪存芯片,这让东芝公司在固态硬盘的竞争中处于绝对劣势;如果要把90纳米的芯片生产线升级成74纳米生产线,除了花费不菲的经费以为,时间上也肯定来不及,怎么办?

在这个时候,东芝的一名科学家小岛一夫,提出采用增加闪存颗粒密度来增加容量的办法,这个提议整个东芝公司上下根本就不相信,小岛一夫的提议没有被采纳不说,还遭到了极其严厉的谴责。

要知道,当时提高闪存芯片容量的办法只有一种,那就是提高芯片的工艺制程,比如从90纳米提高到74纳米,这是最有效的办法,总之,闪存芯片的工艺制程度越高,容量就越大是当时的真理。

但年轻的小岛一夫不这么看,他认为提高闪存工艺制造度固然能提高闪存芯片的容量,但它并不是唯一的,在同等的制程工艺下,提高闪存颗粒的密度,一样能够提高闪存的容量。

高层的谴责让小岛一夫在公司中举步维艰,每天都要面对周围同事的嘲笑,人生陷入低估。

小岛一夫并没有气馁,对周围同事异样的目光和嘲弄完全不顾,反而对闪存芯片展开了更加深入的研究。为了洗刷耻辱,他废寝忘食,连吃住都在实验室,终于在三个月后,小岛一夫成功的在90纳米工艺的闪存芯片上成功实现了高密度的闪存颗粒集成,其闪存颗粒密度比三星公司74纳米闪存芯片的闪存颗粒密度还要高出10%,闪存的容量提高了近一倍,震惊了世界。

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